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AT24C02是Ateml公司的2KB的电可擦除存储芯片，采用两线。是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储。1.数据线上的看门狗定时器。2.可编程复位门栏电平。3.高数据传送速率为400KHz和IIC总线兼容。4.2.7V至7V的工作电压。5.低功耗CMOS工艺。6.8字节页写缓冲区。7.片内防误擦除写保护。8.高低电平复位信号输出。9.100万次擦写周期。10.数据保存可达100年。11.商业级、工业级和汽车温度范围。AT24C02的存储容量为2Kbit，内容分成32页，每页8Byte，共256Byte，操作时有两种寻址方式:芯片寻址和片内子地址寻址。(1)芯片寻址:AT24C02的芯片地址为1010，其地址控制字格式为1010A2A1A0R/W。其中A2，A1，A0可编程地址选择位。A2，A1，A0引脚接高、低电平后得到确定的三位编码，与1010形成7位编码，即为该器件的地址码。R/W为芯片读写控制位，该位为0，表示芯片进行写操作。(2)片内子地址寻址:芯片寻址可对内部256B中的任一个进行读/写操作，其寻址范围为00~FF，共256个寻址单位。原装进口存储器芯片-深圳市千百路工业科技有限公司，提供一站式服务。厦门高速缓冲存储器专卖

近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型NVM技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为主的多种新型NVM技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的关注。特别地，PCRAM因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力，在其影响下，主存和外存之间的界限也正在逐渐变得模糊，甚至有可能对未来的存储体系结构带来重大的变革。因此，它被认为是极具发展前景、比较有可能完全替代DRAM的新型NVM技术之一。海珠折叠可编程只读存储器找存储器IC芯片，选择千百路工业科技，提供样品，现货质量保证，为制造企业优化成本。

SRAM的特点---SRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，缺点是集成度较低，功耗较DRAM大，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。基本特点特点归纳：◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。◎SRAM使用的系统：○CPU与主存之间的高速缓存。○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。○CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。

半导体存储器从使用功能上分，有随机存储器（RandomAccessMemory，简称RAM），又称读写存储器；只读存储器（ReadOnlyMemory，简称为ROM）。一种内存储器1.随机存储器（RandomAccessMemory）RAM有以下特点：可以读出，也可以写入。读出时并不损坏原来存储的内容，只有写入时才修改原来所存储的内容。断电后，存储内容立即消失，即具有易失性。RAM可分为动态（DynamicRAM）和静态（StaticRAM）两大类。DRAM的特点是集成度高，主要用于大容量内存储器；SRAM的特点是存取速度快，主要用于高速缓冲存储器。深圳存储器芯片选择千百路科技公司，系列存储器全型号，一家专注存储器科技的公司。

存储器的主要功能：存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。中国联保网记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。深圳存储器芯片现货，深圳千百路工业科技有限公司提供一站式服务，存储器IC系列全型号选型。肇庆可编程存储器专卖

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动态随机存储器（DynamicRAM），“动态”两字指的是每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。这是因为DRAM的基本单元是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM的电容充电，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储模式也使得DRAM的集成度远高于SRAM，一个DRAM存储单元只需一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及价格方面均比SRAM有优势。SRAM多用于对性能要求极高的地方（如CPU的一级二级缓冲），而DRAM则主要用于计算机的内存条等领域。厦门高速缓冲存储器专卖

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